Vishay P-Channel MOSFET, 9.6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7121DN-T1-GE3

Код товара RS: 818-1380Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI7121DN-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

9,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

26 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

27,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

3.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 844,20

тг 384,42 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 9.6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7121DN-T1-GE3
Select packaging type

тг 3 844,20

тг 384,42 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 9.6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7121DN-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 290тг 384,42тг 3 844,20
300 - 590тг 321,84тг 3 218,40
600 - 1490тг 286,08тг 2 860,80
1500 - 2990тг 227,97тг 2 279,70
3000+тг 205,62тг 2 056,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

9,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

26 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

27,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Ширина

3.15мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.07мм

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor