Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
9,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
26 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
27,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
3.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
33 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.07мм
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 3 844,20
тг 384,42 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 3 844,20
тг 384,42 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 290 | тг 384,42 | тг 3 844,20 |
300 - 590 | тг 321,84 | тг 3 218,40 |
600 - 1490 | тг 286,08 | тг 2 860,80 |
1500 - 2990 | тг 227,97 | тг 2 279,70 |
3000+ | тг 205,62 | тг 2 056,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
9,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK 1212
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
26 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
27,8 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Ширина
3.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.15мм
Типичный заряд затвора при Vgs
33 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.07мм
Минимальная рабочая температура
-50 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре