Dual P-Channel MOSFET, 4.1 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5997DU-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
88 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
10,4 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.98мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.08мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,5 нКл при 10 В
Высота
0.85мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 280 | P.O.A. |
| 300 - 580 | P.O.A. |
| 600 - 1480 | P.O.A. |
| 1500 - 2980 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
PowerPAK ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
88 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
10,4 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.98мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.08мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,5 нКл при 10 В
Высота
0.85мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China