Vishay SI5935CDC-T1-GE3 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
1206 ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
156 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7 нКл при 5 В
Ширина
1.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 480 | P.O.A. |
| 500 - 1480 | P.O.A. |
| 1500 - 2980 | P.O.A. |
| 3000 - 8980 | P.O.A. |
| 9000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
1206 ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
156 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7 нКл при 5 В
Ширина
1.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре