Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 8-Pin 1206 ChipFET Vishay SI5515CDC-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
1206 ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
0.05 O,0.156 O
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Количество элементов на ИС
2
Серия
TrenchFET
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
1206 ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
0.05 O,0.156 O
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
0.8V
Количество элементов на ИС
2
Серия
TrenchFET
Страна происхождения
China