N-Channel MOSFET, 25 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5448DU-T1-GE3

Код товара RS: 134-9715Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI5448DU-T1-GE3
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK ChipFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9,47 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

31 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+20 В

Ширина

1.9мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

26,2 нКл при 10 В

Высота

0.8мм

Серия

TrenchFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 25 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5448DU-T1-GE3
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 25 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5448DU-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

PowerPAK ChipFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9,47 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

31 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+20 В

Ширина

1.9мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

26,2 нКл при 10 В

Высота

0.8мм

Серия

TrenchFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor