N-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4848DY-T1-GE3

Код товара RS: 152-6374Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI4848DY-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

95 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.55мм

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4848DY-T1-GE3
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4848DY-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,7 A

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

95 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.55мм

Страна происхождения

China