Vishay SI4599DY-T1-GE3 MOSFET

Brand

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4,7 А, 6,8 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

42,5 мОм, 62 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт, 3,1 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Ширина

4мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11,7 нКл при 10 В, 25 нКл при 10 В

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.55мм

Страна происхождения

China