Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
4,7 А, 6,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
42,5 мОм, 62 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт, 3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,7 нКл при 10 В, 25 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 80 | P.O.A. |
| 100 - 480 | P.O.A. |
| 500 - 1480 | P.O.A. |
| 1500 - 2480 | P.O.A. |
| 2500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
4,7 А, 6,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
42,5 мОм, 62 мОм
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт, 3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
11,7 нКл при 10 В, 25 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре