Vishay SI4567DY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)

Код товара RS: 710-3349Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI4567DY-T1-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4,4 A, 5 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

70 Ом, 122 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

2,75 Вт, 2,95 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 20 В, 8 нКл при 20 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать

тг 2 413,80

тг 241,38 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SI4567DY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)
Select packaging type

тг 2 413,80

тг 241,38 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay SI4567DY-T1-E3 МОП-транзистор (MOSFET)

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 241,38тг 2 413,80
50 - 90тг 214,56тг 2 145,60
100 - 240тг 192,21тг 1 922,10
250 - 490тг 174,33тг 1 743,30
500+тг 174,33тг 1 743,30
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4,4 A, 5 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

70 Ом, 122 мОм

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное рассеяние мощности

2,75 Вт, 2,95 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +16 В

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 20 В, 8 нКл при 20 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать