Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4.3 A, 6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4532CDY-T1-GE3

Brand

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А, 6 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ, 140 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,78 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 10 В, 7,8 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм