Vishay SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 710-3339PБренд: VishayПарт-номер производителя: SI4435DDY-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 4,5 В, 32 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

8,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

24 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 4,5 В, 32 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor