Vishay SI4190ADY-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 787-9235Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI4190ADY-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

18 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44,4 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 710,10

тг 742,02 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SI4190ADY-T1-GE3 MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 710,10
10тг 7 420,20
15тг 11 130,30
20тг 14 840,40
25тг 18 550,50
30тг 22 260,60
35тг 25 970,70
40тг 29 680,80
45тг 33 390,90
50тг 28 384,50
55тг 31 222,95
60тг 34 061,40
65тг 36 899,85
70тг 39 738,30
75тг 42 576,75

тг 3 710,10

тг 742,02 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SI4190ADY-T1-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 710,10
10тг 7 420,20
15тг 11 130,30
20тг 14 840,40
25тг 18 550,50
30тг 22 260,60
35тг 25 970,70
40тг 29 680,80
45тг 33 390,90
50тг 28 384,50
55тг 31 222,95
60тг 34 061,40
65тг 36 899,85
70тг 39 738,30
75тг 42 576,75

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 742,02тг 3 710,10
50 - 245тг 567,69тг 2 838,45
250 - 995тг 455,94тг 2 279,70
1000 - 2495тг 366,54тг 1 832,70
2500+тг 353,13тг 1 765,65

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

18 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

2,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

6 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

44,4 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor