N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4178DY-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
33 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,5 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 80 | P.O.A. |
| 100 - 480 | P.O.A. |
| 500 - 1480 | P.O.A. |
| 1500 - 2480 | P.O.A. |
| 2500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
33 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.4V
Максимальное рассеяние мощности
5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,5 нКл при 10 В
Ширина
4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре