Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3

Код товара RS: 710-3323Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI4162DY-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В, 8,8 нКл при 4,5 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 050,45

тг 210,09 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 050,45
10тг 2 100,90
15тг 3 151,35
20тг 4 201,80
25тг 5 028,75
30тг 6 034,50
35тг 7 040,25
40тг 8 046,00
45тг 9 051,75
50тг 10 057,50
55тг 11 063,25
60тг 12 069,00
65тг 13 074,75
70тг 14 080,50
75тг 15 086,25

тг 1 050,45

тг 210,09 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 050,45
10тг 2 100,90
15тг 3 151,35
20тг 4 201,80
25тг 5 028,75
30тг 6 034,50
35тг 7 040,25
40тг 8 046,00
45тг 9 051,75
50тг 10 057,50
55тг 11 063,25
60тг 12 069,00
65тг 13 074,75
70тг 14 080,50
75тг 15 086,25

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 210,09тг 1 050,45
25 - 95тг 201,15тг 1 005,75
100 - 245тг 187,74тг 938,70
250 - 495тг 187,74тг 938,70
500+тг 160,92тг 804,60

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

13,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В, 8,8 нКл при 4,5 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor