Vishay SI4056DY-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 787-9137Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI4056DY-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

ThunderFET

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

31 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

5,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19,6 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 743,30

тг 348,66 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SI4056DY-T1-GE3 MOSFET
Select packaging type

тг 1 743,30

тг 348,66 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SI4056DY-T1-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 348,66тг 1 743,30
50 - 245тг 236,91тг 1 184,55
250 - 995тг 210,09тг 1 050,45
1000 - 2495тг 169,86тг 849,30
2500+тг 165,39тг 826,95

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

ThunderFET

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

31 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

5,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

19,6 нКл при 10 В

Ширина

4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor