Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
TSOP-6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
51 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
3,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.7мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
34,8 нКл при -8 В
Высота
1мм
Серия
TrenchFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
TSOP-6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
51 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
3,6 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
1.7мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
34,8 нКл при -8 В
Высота
1мм
Серия
TrenchFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Информация о товаре