Vishay SI3483CDV-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 812-3164Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI3483CDV-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

53 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

4,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать

тг 5 989,80

тг 299,49 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Vishay SI3483CDV-T1-GE3 MOSFET
Select packaging type

тг 5 989,80

тг 299,49 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Vishay SI3483CDV-T1-GE3 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Лента
20 - 280тг 299,49тг 5 989,80
300 - 580тг 236,91тг 4 738,20
600 - 1480тг 210,09тг 4 201,80
1500 - 2980тг 165,39тг 3 307,80
3000+тг 151,98тг 3 039,60
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

53 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

4,2 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

22 нКл при 10 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать