P-Channel MOSFET, 6.2 A, 12 V, 6-Pin TSOP Vishay SI3447CDV-T1-GE3

Код товара RS: 812-3154Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI3447CDV-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

68 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 8 В

Ширина

1.7мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать

тг 3 307,80

тг 165,39 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 6.2 A, 12 V, 6-Pin TSOP Vishay SI3447CDV-T1-GE3
Select packaging type

тг 3 307,80

тг 165,39 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 6.2 A, 12 V, 6-Pin TSOP Vishay SI3447CDV-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Лента
20 - 280тг 165,39тг 3 307,80
300 - 580тг 143,04тг 2 860,80
600 - 1480тг 120,69тг 2 413,80
1500 - 2980тг 93,87тг 1 877,40
3000+тг 84,93тг 1 698,60
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

68 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 8 В

Ширина

1.7мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать