Vishay SI3122DV N-Channel MOSFET, 1.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SI3122DV-T1-GE3

Код товара RS: 653-089Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI3122DV-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

SI3122DV

Тип корпуса

PowerPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Страна происхождения

China

P.O.A.

Vishay SI3122DV N-Channel MOSFET, 1.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SI3122DV-T1-GE3

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Vishay SI3122DV N-Channel MOSFET, 1.3 A, 100 V, 6-Pin PowerPAK SI3122DV-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Серия

SI3122DV

Тип корпуса

PowerPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Номер канала

Поднятие

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Страна происхождения

China