Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,6 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 3 486,60
тг 174,33 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 3 486,60
тг 174,33 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
20 - 280 | тг 174,33 | тг 3 486,60 |
300 - 580 | тг 129,63 | тг 2 592,60 |
600 - 1480 | тг 111,75 | тг 2 235,00 |
1500 - 2980 | тг 102,81 | тг 2 056,20 |
3000+ | тг 98,34 | тг 1 966,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
13,6 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.02мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре