Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Vishay N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 SI2328DS-T1-E3

Код товара RS: 919-0278Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI2328DS-T1-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,15 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

730 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

3,3 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 SI2328DS-T1-E3

P.O.A.

Vishay N-Channel MOSFET, 1.15 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 SI2328DS-T1-E3
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,15 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

730 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

3,3 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor