Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 710-3257Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI2308BDS-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

156 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,09 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

4,5 нКл при 10 В

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 860,80

тг 143,04 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET
Select packaging type

тг 2 860,80

тг 143,04 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 143,04тг 2 860,80
100 - 180тг 111,75тг 2 235,00
200 - 380тг 111,75тг 2 235,00
400 - 980тг 107,28тг 2 145,60
1000+тг 84,93тг 1 698,60

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

156 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,09 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

4,5 нКл при 10 В

Высота

1.02мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor