Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.02мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 4 023,00
тг 80,46 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 023,00
тг 80,46 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
50 - 250 | тг 80,46 | тг 4 023,00 |
300 - 550 | тг 80,46 | тг 4 023,00 |
600 - 1450 | тг 67,05 | тг 3 352,50 |
1500 - 2950 | тг 67,05 | тг 3 352,50 |
3000+ | тг 62,58 | тг 3 129,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
75 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
1,7 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Ширина
1.4мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
4,5 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.02мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре