Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 710-3238PБренд: VishayПарт-номер производителя: SI2301CDS-T1-GE3
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

112 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

860 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

3,3 нКл при 2,5 В, 5,5 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.02мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Vishay SI2301CDS-T1-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

112 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

860 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

3,3 нКл при 2,5 В, 5,5 нКл при 4,5 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.02мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor