N-Channel MOSFET, 1.1 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1902CDL-T1-GE3

Код товара RS: 152-6354Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI1902CDL-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

306 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

0.42 W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

12 В

Ширина

2.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 10 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.1 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1902CDL-T1-GE3
Select packaging type

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 1.1 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1902CDL-T1-GE3
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

1,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

306 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

0.42 W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

12 В

Ширина

2.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2 нКл при 10 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C