Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 400 mA, 700 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1553CDL-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
400 мА, 700 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
1,48 Ω, 578 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
340 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,2 нКл при 10 В, 1,9 нКл при 10 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 20 - 280 | P.O.A. |
| 300 - 580 | P.O.A. |
| 600 - 1480 | P.O.A. |
| 1500 - 2980 | P.O.A. |
| 3000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
400 мА, 700 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
1,48 Ω, 578 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
340 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,2 нКл при 10 В, 1,9 нКл при 10 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре