P-Channel MOSFET, 2.8 A, 30 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70) Vishay SI1471DH-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
6,5 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2мм
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 40 | P.O.A. |
| 50 - 90 | P.O.A. |
| 100 - 240 | P.O.A. |
| 250 - 490 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-70)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
6,5 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2мм
Ширина
1.25мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре