Vishay P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 6-Pin SC-89-6 SI1077X-T1-GE3

Код товара RS: 812-3050Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI1077X-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

760 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

244 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Максимальное рассеяние мощности

236 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

4,43 нКл при 4,5 В

Длина

1.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.6мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 1 966,80

тг 98,34 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 6-Pin SC-89-6 SI1077X-T1-GE3
Select packaging type

тг 1 966,80

тг 98,34 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 760 mA, 30 V, 6-Pin SC-89-6 SI1077X-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Лента
20 - 280тг 98,34тг 1 966,80
300 - 580тг 89,40тг 1 788,00
600 - 1480тг 75,99тг 1 519,80
1500 - 2980тг 71,52тг 1 430,40
3000+тг 67,05тг 1 341,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

760 мА

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

244 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.7V

Максимальное рассеяние мощности

236 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Материал транзистора

Кремний

Ширина

1.2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

4,43 нКл при 4,5 В

Длина

1.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.6мм

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor