Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
530 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
762 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
220 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,8 нКл при 8 В
Ширина
0.95мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.8мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
530 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-523 (SC-89)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
762 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
220 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,8 нКл при 8 В
Ширина
0.95мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.8мм
Информация о товаре