Vishay IRLU110PBF MOSFET

Код товара RS: 708-4884Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRLU110PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

6,1 нКл при 5 В

Ширина

2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Высота

6.22мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 698,60

тг 339,72 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay IRLU110PBF MOSFET
Select packaging type

тг 1 698,60

тг 339,72 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay IRLU110PBF MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 339,72тг 1 698,60
25 - 95тг 308,43тг 1 542,15
100 - 245тг 272,67тг 1 363,35
250 - 495тг 254,79тг 1 273,95
500+тг 245,85тг 1 229,25

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

6,1 нКл при 5 В

Ширина

2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Высота

6.22мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor