Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
540 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 5 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Высота
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 1 698,60
тг 339,72 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 698,60
тг 339,72 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 339,72 | тг 1 698,60 |
25 - 95 | тг 308,43 | тг 1 542,15 |
100 - 245 | тг 272,67 | тг 1 363,35 |
250 - 495 | тг 254,79 | тг 1 273,95 |
500+ | тг 245,85 | тг 1 229,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
540 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 5 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Высота
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре