Vishay N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V, 3-Pin DPAK IRLR014PBF
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,4 нКл при 5 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 1 899,75
тг 379,95 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 1 899,75
тг 379,95 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 379,95 | тг 1 899,75 |
| 25 - 95 | тг 299,49 | тг 1 497,45 |
| 100 - 245 | тг 277,14 | тг 1 385,70 |
| 250+ | тг 254,79 | тг 1 273,95 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
7,7 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,4 нКл при 5 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре