Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,5 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
760 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
3.7мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
1,5 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
760 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
3.7мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
6,1 нКл при 5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.8мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
