Vishay N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRL510PBF

Код товара RS: 541-0610Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRL510PBFDistrelec Article No.: 17118185
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

6,1 нКл при 5 В

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 442,53

тг 442,53 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRL510PBF
Select packaging type

тг 442,53

тг 442,53 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRL510PBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 442,53
25 - 99тг 353,13
100 - 249тг 308,43
250 - 499тг 268,20
500+тг 236,91
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

5,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

540 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

3,7 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Ширина

4.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.41мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

6,1 нКл при 5 В

Высота

9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать