Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 607,92
тг 607,92 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 607,92
тг 607,92 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 607,92 |
| 25 - 99 | тг 321,84 |
| 100 - 249 | тг 312,90 |
| 250 - 499 | тг 308,43 |
| 500+ | тг 299,49 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
400 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
7 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
