Vishay IRFU9110PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,7 нКл при 10 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 733,08
тг 733,08 Each (ex VAT)
1
тг 733,08
тг 733,08 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 733,08 |
| 25 - 99 | тг 384,42 |
| 100 - 249 | тг 344,19 |
| 250 - 499 | тг 317,37 |
| 500+ | тг 295,02 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
8,7 нКл при 10 В
Ширина
2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
6.22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре