Vishay N-Channel MOSFET, 2.6 A, 200 V, 3-Pin IPAK IRFU210PBF

Код товара RS: 541-1629Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFU210PBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,2 нКл при 10 В

Ширина

2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

6.22мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать

тг 406,77

тг 406,77 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 2.6 A, 200 V, 3-Pin IPAK IRFU210PBF
Select packaging type

тг 406,77

тг 406,77 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 2.6 A, 200 V, 3-Pin IPAK IRFU210PBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 406,77
25 - 99тг 286,08
100 - 249тг 277,14
250 - 499тг 259,26
500+тг 223,50
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,6 А

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

8,2 нКл при 10 В

Ширина

2.38мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

6.22мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать