Vishay IRFR9220PBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 420,18
тг 420,18 Each (ex VAT)
1
тг 420,18
тг 420,18 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 420,18 |
| 25 - 99 | тг 312,90 |
| 100 - 249 | тг 290,55 |
| 250 - 499 | тг 272,67 |
| 500+ | тг 250,32 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
20 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor