Vishay IRFR9210TRPBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,9 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.22мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 10 - 240 | P.O.A. |
| 250 - 490 | P.O.A. |
| 500 - 990 | P.O.A. |
| 1000 - 1990 | P.O.A. |
| 2000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8,9 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.22мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре