Vishay P-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin DPAK IRFR9120TRPBF

Код товара RS: 812-0648Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFR9120TRPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 2 950,20

тг 295,02 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin DPAK IRFR9120TRPBF
Select packaging type

тг 2 950,20

тг 295,02 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay P-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin DPAK IRFR9120TRPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 240тг 295,02тг 2 950,20
250 - 490тг 286,08тг 2 860,80
500 - 990тг 281,61тг 2 816,10
1000 - 1990тг 277,14тг 2 771,40
2000+тг 272,67тг 2 726,70

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

5,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor