Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
42 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 2 950,20
тг 295,02 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 950,20
тг 295,02 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 240 | тг 295,02 | тг 2 950,20 |
250 - 490 | тг 286,08 | тг 2 860,80 |
500 - 990 | тг 281,61 | тг 2 816,10 |
1000 - 1990 | тг 277,14 | тг 2 771,40 |
2000+ | тг 272,67 | тг 2 726,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
5,6 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
600 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
42 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Типичный заряд затвора при Vgs
18 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре