Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1.7 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
5 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1.7 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре