Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 400 V, 3-Pin DPAK IRFR320TRPBF

Код товара RS: 812-0626Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFR320TRPBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

400 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.38мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

тг 3 084,30

тг 308,43 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 400 V, 3-Pin DPAK IRFR320TRPBF
Select packaging type

тг 3 084,30

тг 308,43 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 3.1 A, 400 V, 3-Pin DPAK IRFR320TRPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 240тг 308,43тг 3 084,30
250 - 490тг 303,96тг 3 039,60
500 - 990тг 295,02тг 2 950,20
1000 - 1990тг 290,55тг 2 905,50
2000+тг 286,08тг 2 860,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

400 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,8 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

2.38мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor