Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
14 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
42 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
14 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
100 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
42 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Ширина
6.22мм
Количество элементов на ИС
1
Высота
2.38мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре