Vishay N-Channel MOSFET, 6.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-247AC IRFPG50PBF

Код товара RS: 541-1095Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFPG50PBFDistrelec Article No.: 30191596
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

190 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.7мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать

тг 1 515,33

тг 1 515,33 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 6.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-247AC IRFPG50PBF
Select packaging type

тг 1 515,33

тг 1 515,33 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 6.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-247AC IRFPG50PBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 515,33
25 - 99тг 1 479,57
100 - 249тг 1 390,17
250 - 499тг 1 256,07
500+тг 1 121,97
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

190 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.7мм

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать