Vishay N-Channel MOSFET, 6.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-247AC IRFPG50PBF

Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
190 нКл при 10 В
Ширина
5.31мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.7мм
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 1 515,33
тг 1 515,33 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 515,33
тг 1 515,33 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 515,33 |
| 25 - 99 | тг 1 479,57 |
| 100 - 249 | тг 1 390,17 |
| 250 - 499 | тг 1 256,07 |
| 500+ | тг 1 121,97 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
6,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
1000 В
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
190 нКл при 10 В
Ширина
5.31мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
20.7мм
Информация о товаре