Vishay N-Channel MOSFET, 7.8 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC IRFPE50PBF

Код товара RS: 541-1089Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFPE50PBFDistrelec Article No.: 17117013
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Типичный заряд затвора при Vgs

200 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPE50 7.8A 600V
P.O.A.Each (ex VAT)

тг 1 497,45

тг 1 497,45 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 7.8 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC IRFPE50PBF
Select packaging type

тг 1 497,45

тг 1 497,45 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 7.8 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC IRFPE50PBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 497,45
25 - 99тг 1 466,16
100 - 249тг 1 430,40
250 - 499тг 1 403,58
500+тг 1 372,29
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPE50 7.8A 600V
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

7,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

190 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Типичный заряд затвора при Vgs

200 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPE50 7.8A 600V
P.O.A.Each (ex VAT)