Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC IRFPE30PBF

Код товара RS: 542-9872Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFPE30PBFDistrelec Article No.: 30191593
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

78 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFPE30 4.1A 800VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

тг 1 667,31

тг 1 667,31 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC IRFPE30PBF
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 667,31
2тг 3 334,62
3тг 5 001,93
4тг 6 669,24
5тг 8 336,55
6тг 10 003,86
7тг 11 671,17
8тг 13 338,48
9тг 15 005,79
10тг 16 673,10
11тг 18 340,41
12тг 20 007,72
13тг 21 675,03
14тг 23 342,34
15тг 25 009,65

тг 1 667,31

тг 1 667,31 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC IRFPE30PBF

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 667,31
2тг 3 334,62
3тг 5 001,93
4тг 6 669,24
5тг 8 336,55
6тг 10 003,86
7тг 11 671,17
8тг 13 338,48
9тг 15 005,79
10тг 16 673,10
11тг 18 340,41
12тг 20 007,72
13тг 21 675,03
14тг 23 342,34
15тг 25 009,65

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 667,31
25 - 99тг 1 627,08
100 - 249тг 1 341,00
250 - 499тг 1 220,31
500+тг 1 153,26
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFPE30 4.1A 800VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

78 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFPE30 4.1A 800VБренд: Vishay
P.O.A.Each (ex VAT)