Vishay IRFPC60LCPBF MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
400 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
280 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Ширина
5.31мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 1 980,21
тг 1 980,21 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 980,21
тг 1 980,21 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 1 980,21 |
| 25 - 99 | тг 1 591,32 |
| 100 - 249 | тг 1 448,28 |
| 250 - 499 | тг 1 309,71 |
| 500+ | тг 1 171,14 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
400 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
280 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Ширина
5.31мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor