Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
580 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
180 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
70 нКл при 10 В
Ширина
5.31мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 1 135,38
тг 1 135,38 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 1 135,38
тг 1 135,38 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 24 | тг 1 135,38 |
25 - 99 | тг 1 090,68 |
100 - 249 | тг 1 059,39 |
250 - 499 | тг 1 050,45 |
500+ | тг 1 014,69 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип корпуса
TO-247AC
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
580 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
180 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Типичный заряд затвора при Vgs
70 нКл при 10 В
Ширина
5.31мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
15.87мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
20.7мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре