Vishay N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC IRFPC50APBF

Код товара RS: 542-9844Бренд: VishayПарт-номер производителя: IRFPC50APBF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

580 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

180 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPC50A 11A 600V
P.O.A.Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 135,38

тг 1 135,38 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC IRFPC50APBF
Select packaging type

тг 1 135,38

тг 1 135,38 Each (ex VAT)

Vishay N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC IRFPC50APBF
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 135,38
25 - 99тг 1 090,68
100 - 249тг 1 059,39
250 - 499тг 1 050,45
500+тг 1 014,69
Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPC50A 11A 600V
P.O.A.Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

TO-247AC

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

580 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

180 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

70 нКл при 10 В

Ширина

5.31мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

15.87мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

20.7мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать
N-channel MOSFET,IRFPC50A 11A 600V
P.O.A.Each (ex VAT)