Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
27 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.83мм
Длина
10.63мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
16.12мм
PRICED TO CLEAR
Yes
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,8 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
500 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
27 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.83мм
Длина
10.63мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Материал транзистора
Кремний
Высота
16.12мм
PRICED TO CLEAR
Yes
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре