Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.8мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
тг 3 754,80
тг 750,96 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 3 754,80
тг 750,96 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 750,96 | тг 3 754,80 |
| 25 - 95 | тг 630,27 | тг 3 151,35 |
| 100 - 245 | тг 447,00 | тг 2 235,00 |
| 250 - 495 | тг 415,71 | тг 2 078,55 |
| 500+ | тг 406,77 | тг 2 033,85 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
24 нКл при 10 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
9.8мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
