Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
16 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Тип корпуса
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
16 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре